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磁阻效应实验仪型号HAD-FD-MR-II
更新时间:2019-03-11
产品型号:HAD-FD-MR-II
描述:磁阻效应实验仪型号HAD-FD-MR-II

磁阻器件由于灵敏度、抗干扰能力强等优点在业、交通、仪器仪表、疗器械、探矿等域应用十分广泛,如:数字式罗盘、交通车辆检测,导航系统、检测、位置测量等。其中典型的锑化铟( InSb)传感器是种价格低廉、灵敏度的磁电阻,有着十分重要的应用价值。

HAD-FD-MR-II磁阻效应实验仪型号HAD-FD-MR-II的详细资料:

磁阻效应实验仪型号HAD-FD-MR-II

磁阻器件由于灵敏度、抗干扰能力强等优点在业、交通、仪器仪表、疗器械、探矿等域应用十分广泛,如:数字式罗盘、交通车辆检测,导航系统、检测、位置测量等。其中典型的锑化铟( InSb)传感器是种价格低廉、灵敏度的磁电阻,有着十分重要的应用价值。

磁阻效应实验仪型号HAD-FD-MR-II

  本实验装置结构简单、实验内容丰富,使用两种材料的传感器:利用砷化镓( GaAs)霍耳传感器测量磁感应强度,研究锑化铟(InSb)磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律,具有研究性和性实验的点。

  该仪器可用于理科大学的基础物理实验和性综合物理实验,也可用于演示实验。

  应用本实验仪可以成以下实验:

  1.用于测定通过电磁铁的电和磁铁间隙中磁感应强度的关系,观测砷化镓(GaAs)霍耳元件的霍耳效应。

  2.用于测定锑化铟(InSb)磁阻元件电阻大小磁感应强度的对应关系。

  3.研究锑化铟(InSb)磁阻元件在不同磁感应强度区域的电阻值变化与磁感应强度的关系,行曲线拟合,求出磁阻元件电阻与磁感应强度关系的经验公式。

  4.外接信号发生器,深入研究磁电阻的交性(倍频效应),观测其有的物理现象(选做)。

  仪器主要参数:

  1.双路直电源

   电范围 0-500mA 连续可调,数字电表显示大小。

   电范围 0-3mA 连续可调,供传感器的作电。

  2.数字式毫计

   测量范围 0-0.5T,分辨率0.0001T,准确率为1%。 

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