磁电阻效应实验仪型号；HAD-FD-MR-C

磁电阻传感器由于灵敏度、抗干扰能力强等优点在业、交通、仪器仪表、疗器械、探矿等域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、检测、位置测量等。其中典型的锑化铟（ InSb ）传感器是种价格低廉、灵敏度的磁电阻传感器，有着十分重要的应用价值。

磁电阻效应实验仪型号；HAD-FD-MR-C

　　本实验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种类型的传感器：利用砷化镓（ GaAs ）霍耳传感器测量磁感应强度，研究锑化铟（ InSb ）磁电阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。

　　应用该实验仪可以成以下实验：

　　•  测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。

　　•  作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。

　　•  对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别行拟合。

　　•  研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交性（倍频效应），观测其有的物理现象。

　　该仪器具有研究性和性实验的点，可用于理科大学的基础物理实验和性综合物理实验，也可用于演示实验。

　　仪器主要参数：

　　1 ．磁电阻传感器作电源 输出电 0 － 3mA 连续可调。

　　2 ．数字式毫仪 测量范围 0 － 199.9mT　　分辨率 0.1mT ，液晶显示

　　3 ．数字电压表 测量范围 0 － 1999mV　　分辨率 1mV ，液晶显示