恒奥德仪器霍尔传感器作原理注意事项

霍尔原理

由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关；IC为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。[3]

霍尔效应

霍尔效应

对于个给定的霍尔器件，当偏置电流Ic固定时，Vh将取决于被测的磁场强度B。个霍尔元件般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。般地说，偏置电流的设定通常由外的基准电压源给出；若度要求，则基准电压源均用恒流源取代。为了达到的灵敏度，有的霍尔元件的传感面上装有导磁系数的坡莫合金；这类传感器的霍尔电势较大，但在0.05T左右出现饱和，仅适用在低量限、小量程下使用。

在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压

作原理

霍尔传感器

霍尔传感器

磁场中有个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。

霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越，磁场越弱，电压越低。霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。用个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某位置，利用这作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能作，这特点使它能检测转速低的运转情况

注意事项

（1）电流传感器须根据被测电流的额定有效值适当选用不同的规格的产品。被测电流长时间额，会损坏末放管（磁补偿式），般情况下，2倍的过载电流持续时间不得过1分钟。

（2）电压传感器须按产品说明在原边串入个限流电阻R1，以使原边得到额定电流，在般情况下，2倍的过压持续时间不得过1分钟。

（3）电流电压传感器的佳度是在原边额定值条件下得到的，所以当被测电流于电流传感器的额定值时，应选用相应大的传感器；当被测电压于电压传感器的额定值时，应重新调整限流电阻。当被测电流低于额定值1/2以下时，为了得到佳度，可以使用多绕圈数的办法。

（4）缘耐压为3KV的传感器可以长期正常作在1KV及以下交流系统和1.5KV及以下直流系统中，6KV的传感器可以长期正常作在2KV及以下交流系统和2.5KV及以下直流系统中，注意不要压使用。

（5）在要求得到良好动态特性的装置上使用时，好用单根铜铝母排并与孔径吻合，以大代小或多绕圈数，均会影响动态特性。